MOSFET транзистор IRLH5030





Цоколевка транзистора IRLH5030
(Код: IRLH5030)

Характеристики MOSFET транзистора IRLH5030



  • Корпус - PQFN 5 X 6 B
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 16 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 9.0 мОм
  • Заряд затвора 44.0 нКл
  • Термосопротивление 0.50 К/Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара