Цоколевка транзистора IRL530N
(Код: IRL530N)

Характеристики MOSFET транзистора IRL530N



  • Корпус - TO-220AB
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 16 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 100.0 мОм
  • Ток стока 17 А
  • Заряд затвора 22.7 нКл
  • Термосопротивление 1.9 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 79 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара