MOSFET транзистор IRFS59N10D





Цоколевка транзистора IRFS59N10D
(Код: IRFS59N10D)

Характеристики MOSFET транзистора IRFS59N10D



  • Корпус - D2-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 30 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 25.0 мОм
  • Ток стока 59 А
  • Заряд затвора 76.0 нКл
  • Термосопротивление 0.50 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 200 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара