MOSFET транзистор IRFR9N20D





Цоколевка транзистора IRFR9N20D
(Код: IRFR9N20D)

Характеристики MOSFET транзистора IRFR9N20D



  • Корпус - D-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 200 В
  • Максимальное напряжение затвора 30 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 380.0 мОм
  • Ток стока 9.4 А
  • Заряд затвора 18.0 нКл
  • Термосопротивление 1.75 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 86 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара