MOSFET транзистор IRFR812





Цоколевка транзистора IRFR812
(Код: IRFR812)

Характеристики MOSFET транзистора IRFR812



  • Корпус - D-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 500 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 2200.0 мОм
  • Ток стока 3.6 А
  • Заряд затвора 13.3 нКл
  • Термосопротивление 1.6 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 78 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара