MOSFET транзистор IRFR120N





Цоколевка транзистора IRFR120N
(Код: IRFR120N)

Характеристики MOSFET транзистора IRFR120N



  • Корпус - D-PAK
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 210.0 мОм
  • Ток стока 9.1 А
  • Заряд затвора 16.7 нКл
  • Термосопротивление 3.2 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 39 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара