MOSFET транзистор IRFHM830





Цоколевка транзистора IRFHM830
(Код: IRFHM830)

Характеристики транзистора IRFHM830



  • Корпус - PQFN 3.3 X 3.3
  • Напряжение пробоя сток-исток
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 3.8 мОм
  • Ток стока 40 А
  • Заряд затвора 31.0 нКл
  • Термосопротивление 3.4 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 37 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара