MOSFET транзистор IRFH5302D





Цоколевка транзистора IRFH5302D
(Код: IRFH5302D)

Характеристики транзистора IRFH5302D



  • Корпус - PQFN 5 X 6 B
  • Напряжение пробоя сток-исток
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 2.5 мОм
  • Заряд затвора 26.0 нКл
  • Термосопротивление 1.2 К/Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара