MOSFET транзистор IRFH5110





Цоколевка транзистора IRFH5110
(Код: IRFH5110)

Характеристики транзистора IRFH5110



  • Корпус - PQFN 5 X 6 B
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 12.4 мОм
  • Ток стока 63 А
  • Заряд затвора 48.0 нКл
  • Термосопротивление 1.1 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 114 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара