MOSFET транзистор IRFB59N10D





Цоколевка транзистора IRFB59N10D
(Код: IRFB59N10D)

Характеристики транзистора IRFB59N10D



  • Корпус - TO-220AB
  • Напряжение пробоя сток-исток 100 В
  • Максимальное напряжение затвора
  • Сопротивление в открытом состоянии 25.0 мОм
  • Ток стока 59 А
  • Заряд затвора 76.0 нКл
  • Термосопротивление 0.75 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 200 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара