MOSFET транзистор IRF8113G





Цоколевка транзистора IRF8113G
(Код: IRF8113G)

Характеристики транзистора IRF8113G



  • Корпус -
  • Напряжение пробоя сток-исток
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 6.0 мОм
  • Заряд затвора 24.0 нКл
  • Термосопротивление 50 (JA) К/Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара