MOSFET транзистор IRF7807VD1





Цоколевка транзистора IRF7807VD1
(Код: IRF7807VD1)

Характеристики транзистора IRF7807VD1



  • Корпус -
  • Напряжение пробоя сток-исток
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 25.0 мОм
  • Заряд затвора 9.5 нКл
  • Термосопротивление 50 (JA) К/Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара