MOSFET транзистор IRF7478Q





Цоколевка транзистора IRF7478Q
(Код: IRF7478Q)

Характеристики транзистора IRF7478Q



  • Корпус -
  • Напряжение пробоя сток-исток 60 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 26.0 мОм
  • Заряд затвора 21.0 нКл
  • Термосопротивление 50 (JA) К/Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара