Цоколевка транзистора IRF6810S
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6810S



  • Корпус - DIRECTFET S1
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 16 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 5.2 мОм
  • Заряд затвора 7.4 нКл
  • Термосопротивление 6.3 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 20 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара