Цоколевка транзистора IRF6798M
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6798M



  • Корпус - DIRECTFET MX
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 1.3 мОм
  • Ток стока 197 А
  • Заряд затвора 50.0 нКл
  • Термосопротивление 1.6 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 78 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара