Цоколевка транзистора IRF6775M
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6775M



  • Корпус - DIRECTFET MZ
  • Напряжение пробоя сток-исток 150 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 56.0 мОм
  • Ток стока 28 А
  • Заряд затвора 25.0 нКл
  • Термосопротивление 1.4 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 89 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара