Цоколевка транзистора IRF6727M
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6727M



  • Корпус - DIRECTFET MX
  • Напряжение пробоя сток-исток 30 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 1.7 мОм
  • Ток стока 180 А
  • Заряд затвора 49.0 нКл
  • Термосопротивление 1.4 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 89 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара