Цоколевка транзистора IRF6725M
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6725M



  • Корпус - DIRECTFET MX
  • Напряжение пробоя сток-исток 30 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 2.2 мОм
  • Ток стока 170 А
  • Заряд затвора 36.0 нКл
  • Термосопротивление 1.2 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 100 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара