Характеристики MOSFET транзистора IRF6717M
Корпус - DIRECTFET MX Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 1.25 мОм Ток стока 220 А Заряд затвора 46.0 нКл Термосопротивление 1.3 К/Вт Рассеиваемая мощность 96 Вт