Цоколевка транзистора IRF6717M
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6717M



  • Корпус - DIRECTFET MX
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 1.25 мОм
  • Ток стока 220 А
  • Заряд затвора 46.0 нКл
  • Термосопротивление 1.3 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 96 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара