Характеристики MOSFET транзистора IRF6716M
Корпус - DIRECTFET MX Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 1.6 мОм Заряд затвора 39.0 нКл Термосопротивление 1.6 К/Вт Рассеиваемая мощность 78 Вт