Цоколевка транзистора IRF6716M
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6716M



  • Корпус - DIRECTFET MX
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 1.6 мОм
  • Заряд затвора 39.0 нКл
  • Термосопротивление 1.6 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 78 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара