Характеристики MOSFET транзистора IRF6714M
Корпус - DIRECTFET MX Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 2.1 мОм Ток стока 166 А Заряд затвора 29.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт