Цоколевка транзистора IRF6713S
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6713S



  • Корпус - DIRECTFET SQ
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 3.0 мОм
  • Ток стока 95 А
  • Заряд затвора 21.0 нКл
  • Термосопротивление 3.0 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 42 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара