Характеристики MOSFET транзистора IRF6712S
Корпус - DIRECTFET SQ Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 4.9 мОм Заряд затвора 13.0 нКл Термосопротивление 3.5 К/Вт Рассеиваемая мощность 36 Вт