Цоколевка транзистора IRF6712S
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6712S



  • Корпус - DIRECTFET SQ
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 4.9 мОм
  • Заряд затвора 13.0 нКл
  • Термосопротивление 3.5 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 36 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара