Характеристики MOSFET транзистора IRF6711S
Корпус - DIRECTFET SQ Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 3.8 мОм Ток стока 84 А Заряд затвора 13.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт