Характеристики MOSFET транзистора IRF6710S2
Корпус - DIRECTFET S1 Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 5.9 мОм Ток стока 37 А Заряд затвора 8.8 нКл Термосопротивление 9.8 К/Вт Рассеиваемая мощность 15 Вт