Цоколевка транзистора IRF6710S2
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6710S2



  • Корпус - DIRECTFET S1
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 5.9 мОм
  • Ток стока 37 А
  • Заряд затвора 8.8 нКл
  • Термосопротивление 9.8 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 15 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара