Характеристики MOSFET транзистора IRF6709S2
Корпус - DIRECTFET S1 Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 7.8 мОм Ток стока 39 А Заряд затвора 8.1 нКл Термосопротивление 7.2 К/Вт Рассеиваемая мощность 21 Вт