Цоколевка транзистора IRF6709S2
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6709S2



  • Корпус - DIRECTFET S1
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 7.8 мОм
  • Ток стока 39 А
  • Заряд затвора 8.1 нКл
  • Термосопротивление 7.2 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 21 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара