Характеристики MOSFET транзистора IRF6708S2
Корпус - DIRECTFET S1 Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 8.9 мОм Ток стока 36 А Заряд затвора 6.6 нКл Термосопротивление 7.6 К/Вт Рассеиваемая мощность 20 Вт