Цоколевка транзистора IRF6708S2
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6708S2



  • Корпус - DIRECTFET S1
  • Напряжение пробоя сток-исток 30 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 8.9 мОм
  • Ток стока 36 А
  • Заряд затвора 6.6 нКл
  • Термосопротивление 7.6 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 20 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара