Цоколевка транзистора IRF6706S2
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6706S2



  • Корпус - DIRECTFET S1
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 3.8 мОм
  • Ток стока 63 А
  • Заряд затвора 13.0 нКл
  • Термосопротивление 5.7 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 26 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара