Характеристики MOSFET транзистора IRF6706S2
Корпус - DIRECTFET S1 Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 3.8 мОм Ток стока 63 А Заряд затвора 13.0 нКл Термосопротивление 5.7 К/Вт Рассеиваемая мощность 26 Вт