Характеристики MOSFET транзистора IRF6691
Корпус - DIRECTFET MT Напряжение пробоя сток-исток 20 В Максимальное напряжение затвора 12 В Сопротивление в открытом состоянии 1.8 мОм Заряд затвора 47.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 2.0 Вт