Цоколевка транзистора IRF6691
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6691



  • Корпус - DIRECTFET MT
  • Напряжение пробоя сток-исток 20 В
  • Максимальное напряжение затвора 12 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 1.8 мОм
  • Заряд затвора 47.0 нКл
  • Термосопротивление 1.4 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 2.0 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара