Характеристики MOSFET транзистора IRF6678
Корпус - DIRECTFET MX Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 2.2 мОм Заряд затвора 43.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт