Характеристики MOSFET транзистора IRF6674
Корпус - DIRECTFET MZ Напряжение пробоя сток-исток 60 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 11.0 мОм Ток стока 67 А Заряд затвора 24.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт