Характеристики MOSFET транзистора IRF6668
Корпус - DIRECTFET MZ Напряжение пробоя сток-исток 80 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 15.0 мОм Ток стока 55 А Заряд затвора 22.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт