Цоколевка транзистора IRF6668
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6668



  • Корпус - DIRECTFET MZ
  • Напряжение пробоя сток-исток 80 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 15.0 мОм
  • Ток стока 55 А
  • Заряд затвора 22.0 нКл
  • Термосопротивление 1.4 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 89 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара