Характеристики MOSFET транзистора IRF6665
Корпус - DIRECTFET SH Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 62.0 мОм Заряд затвора 8.7 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт