Характеристики MOSFET транзистора IRF6662
Корпус - DIRECTFET MZ Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 22.0 мОм Заряд затвора 22.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт