Характеристики MOSFET транзистора IRF6645
Корпус - DIRECTFET SJ Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 35.0 мОм Заряд затвора 14.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт