Характеристики MOSFET транзистора IRF6644
Корпус - DIRECTFET MN Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 13.0 мОм Заряд затвора 35.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт