Характеристики MOSFET транзистора IRF6643
Корпус - DIRECTFET MZ Напряжение пробоя сток-исток 150 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 34.5 мОм Заряд затвора 39.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт