Характеристики MOSFET транзистора IRF6641
Корпус - DIRECTFET MZ Напряжение пробоя сток-исток 200 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 59.9 мОм Заряд затвора 34.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт