Характеристики MOSFET транзистора IRF6635
Корпус - DIRECTFET MX Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 1.8 мОм Заряд затвора 47.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт