Характеристики MOSFET транзистора IRF6633
Корпус - DIRECTFET MP Напряжение пробоя сток-исток 20 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 5.6 мОм Заряд затвора 11.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт