Характеристики MOSFET транзистора IRF6631
Корпус - DIRECTFET SQ Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 7.8 мОм Заряд затвора 12.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт