Цоколевка транзистора IRF6629
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6629



  • Корпус - DIRECTFET MX
  • Напряжение пробоя сток-исток 25 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 2.1 мОм
  • Заряд затвора 34.0 нКл
  • Термосопротивление 1.2 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 100 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара