Характеристики MOSFET транзистора IRF6629
Корпус - DIRECTFET MX Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 2.1 мОм Заряд затвора 34.0 нКл Термосопротивление 1.2 К/Вт Рассеиваемая мощность 100 Вт