Характеристики MOSFET транзистора IRF6626
Корпус - DIRECTFET ST Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 5.4 мОм Заряд затвора 19.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт