Характеристики MOSFET транзистора IRF6622
Корпус - DIRECTFET SQ Напряжение пробоя сток-исток 25 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 6.3 мОм Заряд затвора 11.0 нКл Термосопротивление 3.7 К/Вт Рассеиваемая мощность 34 Вт