Характеристики MOSFET транзистора IRF6621
Корпус - DIRECTFET SQ Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 9.1 мОм Заряд затвора 11.7 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт