Цоколевка транзистора IRF6617
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6617



  • Корпус - DIRECTFET ST
  • Напряжение пробоя сток-исток 30 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 8.1 мОм
  • Заряд затвора 11.0 нКл
  • Термосопротивление 3.0 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 42 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара