Характеристики MOSFET транзистора IRF6617
Корпус - DIRECTFET ST Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 8.1 мОм Заряд затвора 11.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт