Характеристики MOSFET транзистора IRF6616
Корпус - DIRECTFET MX Напряжение пробоя сток-исток 40 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 5.0 мОм Заряд затвора 29.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт