Цоколевка транзистора IRF6614
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6614



  • Корпус - DIRECTFET ST
  • Напряжение пробоя сток-исток 40 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 8.3 мОм
  • Заряд затвора 19.0 нКл
  • Термосопротивление 3.0 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 42 Вт
  • Отзыв
    Оставить отзыв
    Имя
    E-mail
    Текст комментария
    Оценка для товара