Характеристики MOSFET транзистора IRF6614
Корпус - DIRECTFET ST Напряжение пробоя сток-исток 40 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 8.3 мОм Заряд затвора 19.0 нКл Термосопротивление 3.0 К/Вт Рассеиваемая мощность 42 Вт