Характеристики MOSFET транзистора IRF6613
Корпус - DIRECTFET MT Напряжение пробоя сток-исток 40 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 3.4 мОм Заряд затвора 42.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт