Характеристики MOSFET транзистора IRF6612
Корпус - DIRECTFET MX Напряжение пробоя сток-исток 30 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 3.3 мОм Заряд затвора 30.0 нКл Термосопротивление 1.4 К/Вт Рассеиваемая мощность 89 Вт